电感耦合等离子体发射光谱法测定高纯铝中硅

建立电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)法测定高纯铝中硅元素的分析方法.样品采用碱溶法进行预处理,以氢氧化钠溶液溶解,再加入盐酸、硝酸酸化.选取了硅251.611 nm分析谱线进行分析.硅的质量分数在0.001％～0.01％范围内与光谱强度具有良好的线性关系,线性相关系数为0.9991.该方法检出限为0.00012％,测定结果的相对标准偏差不大于10.2％(n=8),加标回收率为93.2％～104.2％.该方法操作简便,测定结果准确、可靠,适用于快速检测高纯铝中硅元素,具有推广价值.