应用于AMOLED的金属氧化物TFT行驱动电路设计

薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)是平板显示领域核心的有源寻址器件,金属氧化物TFT应用于有源矩阵有机发光二级管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示已成为业界研究热点.基于氧化铟镓锌薄膜晶体管(IGZO TFT)模型,采用相邻TFT串接反馈(series connected two-transistor,STT)、双负电源、多时钟控制等结构设计,提出一款新型的行集成驱动电路.该电路能显著减少器材的漏电流,有效提高输出级栅级电压,稳定输出.仿真结果显示,在60 Hz刷新速率下,该电路单级的功耗为161.53μW,驱动信号为7μs,满足4K(3 840列×2160行)分辨率的显示需求,可以实现180级级联和复用输出,电路结构简单,功耗小.通过进一步优化该电路的结构与器件参数,单级功耗可减少到126.05 μW,同时纹波和失真也可得到一定程度的抑制.