Fabrication and Characterization of Sr0.8Bi2.2Ta2O9 /al2o3 Gate Stack for Ferroelectric Field Effect Transistors
Applied Physics A（2021）
关键词
Data retention,Endurance,Ferroelectric,Memory window,MFeIS,MFeIM
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要