离子束增强沉积氮化硅膜及TiAl抗高温氧化性能的改善
cnki(1995)
Abstract
用离子束增强沉积(IBED)方法在金属间化合物TiAl上合成厚度为0.5,1,和2μm的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态,膜与基底间存在混合的过渡区,膜与基底结合紧密用AES,XRD和XPS研究薄膜的组成和结构,高温循环氧化结果表明,经沉积膜的TiAl试样的抗氧化性能显著提高其中沉积0.5μm薄膜的试样表现出极好的抗循环氧化性能由SEM及EDS分析得出,良好的高温稳定性能、高的膜/基底结合力和形成富Al2O3和硅化物的保护层是提高TiAl抗高温氧化性能的主要因素.
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