Structure and Luminescence Properties of Eu3+ and Dy3+ Co-implanted AlN Films

马海,Ma Hai,王晓丹,Wang Xiao-dan,李祥,Li Xiang,王丹,Wang Dan,毛红敏,Mao Hong-min,曾雄辉,Zeng Xiong-hui

Acta Photonica Sinica（2020）

引用 1|浏览5

暂无评分

摘要

采用离子注入方法在氢化物气相外延法生长的AlN薄膜中注入了不同剂量的Dy3+和Eu3+，制备了Dy3+单掺、Dy3+和Eu3+共掺的AlN样品.对于Dy3+单掺杂AlN样品，X射线衍射和拉曼散射实验结果表明随着Dy注入剂量的增加，样品的压应力也增加，形成了比较明显的损伤层；但当注入剂量由5×1014 at/cm2增加至1×1015 at/cm2时，压应力增加不明显，接近于饱和.对于Dy3+和Eu3+共掺的AlN样品，阴极荧光实验表明，AlN中Eu3+和Dy3+之间可能存在能量传递，能量传递途径为在声子辅助下从Dy3+的4F9/2→6H15/2至Eu3+的7F0→5D2的共振能量传递.此外，计算发现改变Dy3+和Eu3+离子的注入剂量比能实现发光色度坐标和色温的有效调控.

查看译文

关键词

Optoelectronics, Aluminum nitride, Europium, Dysprosium, Strain, Cathodoluminescence, Energy transfer

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要