中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性

Li Xiong-Jun,Han Fu-Zhong,Li Li-Hua,Li Dong-Sheng,Hu Yan-Bo, Yang Deng-Quan,Yang Chao-Wei,Kong Jin-Cheng,Shu Xun,Zhuang Ji-Sheng,Zhao Jun

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2019）

Cited 1|Views5

No score

Abstract

采用不同工艺制备了中波碲镉汞(HgCdTe)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1.2 μm和2.5 μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1000以上.用肖克莱解析式拟合HgCdTe APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J.Rothman的报道相似.

Translated text

Key words

midium wave (MW) HgCdTe,avalanche photodiode,gain,C-V

AI Read Science

Must-Reading Tree

Example

Generate MRT to find the research sequence of this paper

Chat Paper

Summary is being generated by the instructions you defined