基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源

Yao Chang-Fei,Zhou Ming,Luo Yun-Sheng,Lin Gang,Li Jiao,Xu Cong-Hai,Kou Ya-Nan,Wu Gang,Wang Ji-Cai

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2014）

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摘要

基于南京电子器件研究所(NEDI)的GaAs工艺线,通过分析器件的有源层(缓冲层、外延层)材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等,综合优化二极管性能,研制出了截止频率为3.2 THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管,通过建立其三维场结构,采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法,一体化设计匹配电路和器件,研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6 GHz测得最高倍频效率为2.7％,在147.4～155 GHz效率典型值为1.3％.G波段二倍频器在172 GHz测得最高倍频效率为2.1％,在150～200 GHz效率典型值为1.0％.

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关键词

Terahertz,GaAs Schottky diode,multipliers

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