不同离子比的锰钴镍薄膜材料结构和电学性能

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES(2017)

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摘要
采用磁控溅射法分别制备了不同组分的Mn-Co-Ni-O(MCNO)薄膜材料.通过对材料结构分析,发现在Mn离子数目不变的情况下,随着Co离子的增加,晶粒尺寸逐渐增大,且晶格常数先增大后减小;在Co离子数目不变的情况下,随着Mn离子的增加,薄膜的择优生长晶面由(311)不晶面向(400)晶面转变.对电学性能测试进行分析,可知薄膜材料既有Mn离子的导电机制,也有Co离子的导电机制;Mn12Co1.5Ni0.3O4具有最低的电阻率(235 Ω·cm),具有最高的室温负温度电阻系数|α295 | (4.7%·K-1)值.
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关键词
MCNO thin films,electrical properties,resistivity,activation energy
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