亚低温促进神经元自噬减轻小鼠脑缺血-再灌注损伤

目的 探讨小鼠全脑缺血-再灌注(ischemia/reperfusion,I/R)损伤后神经元自噬和凋亡的情况,以及亚低温对神经元自噬和凋亡的影响.方法 颈动脉结扎方法建立C57小鼠全脑缺血-再灌注损伤(L/R)模型,C57小鼠共96只,随机(随机数字法)分为8组(n=12):①正常对照组(C0);②假手术组(sham);③I/R后正常体温(37℃) 6h组(C6 h);④I/R后正常体温12 h组(C12 h);⑤I/R后正常体温72 h组(C72 h);⑥I/R后亚低温(34 ℃)6 h组(C6 h +MH);⑦I/R后亚低温12 h组(C12 h +MH);⑧I/R后亚低温72 h组(C72 h+MH);Western-blot检测各组各时间点Sirt1、P-Fox01、Rab7、P53、Beclin1、LC3等的表达;免疫荧光检测LC3颗粒的数量;TUNEL染色观察神经元凋亡.采用SPSS 13.0进行统计分析.计量资料用均数±标准差(-χ±s)表示,多组间计量资料比较用单因素方差分析(LSD-t),以P＜0.05为差异有统计学意义.结果 Western-b1ot显示,正常体温组I/R后,Sirt1、P-Fox01、Rab7、Beclin1表达随着时间延长逐渐减少,12 h更明显,与正常对照组相比,差异有统计学意义(P＜0.05);LC3Ⅱ/Ⅰ比值逐渐减少(P＜0.05);而P53表达明显增加(P＜0.05);亚低温组Sirt1、P-Fox01、Rab7、Beclin1、LC3Ⅱ/Ⅰ表达均高于正常体温组(P＜0.05);而P53表达低于正常体温组(P＜0.05).免疫荧光检测显示,正常体温组I/R后12 h,神经元LC3颗粒较正常对照组明显减少(6.0±1.5和18.1±2.5,P＜0.05);而亚低温组LC3颗粒较正常体温组明显增加(36.1 ±4.5和6.0±1.5,P＜0.05).TUNEL检测结果显示,正常体温组I/R后72 h,神经元细胞凋亡较对照组明显增多[(54.8±7.5)％和(5.5±1.2)％,P＜0.05];而亚低温组神经元凋亡较正常体温组明显减少[(28.8±4.5)％和(54.8±7.5)％,P＜0.05].结论 小鼠全脑缺血-再灌注损伤后,神经元自噬减少,凋亡增加;亚低温干预可以上调Sirt1的活性,增加Fox01、Rab7和自噬相关基因Beclin1、LC3的表达,同时抑制P53,促进神经元自噬,减少凋亡,为缺血-再灌注后脑损伤提供新的治疗靶点.