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BaO掺杂对单畴GdBCO超导块材 性能的影响(二)

Miao Wang,Hua-Chun Wu,Wan-Min Yang,Peng-Tao Yang,Xiao-Mei Wang,Da-Peng Hao,Wen-Jia Dang,Ming Zhang,Cheng-Xi Hu

ACTA PHYSICA SINICA（2017）

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Abstract
为了有效地抑制GdBCO超导块材在生长过程中出现的Gd/Ba替换现象,在前期工作的基础上,本文采用顶部籽晶熔渗生长工艺,通过在固相先驱粉中添加不同含量的BaO粒子成功地制备出了一系列高性能的单畴GdBCO超导块材,并且对样品的微观形貌以及临界电流密度进行了研究和分析.结果表明,随着BaO掺杂量的增加,样品中的Gd1+xBa2?xCu3O7?δ固溶体(Gd123ss)相呈现出减少的趋势,并生成了纳米量级的Gd123ss,这对GdBCO超导样品中存在的Gd/Ba替换起到了很好的抑制作用,使得样品中的GdBa2 Cu3 O7?δ(Gd123)超导相有所增加;同时当样品中BaO的添加量在2 wt%—4 wt%之间时,样品的临界电流密度在一定程度上得到了有效提高.
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Key words
singe domain GdBCO bulk superconductor,microstructure,critical current density,flux pinning
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