纤锌矿In0.19Ga0.81N/GaN量子阱中光学声子和内建电场对束缚极化子结合能的影响

用改进的Lee-Low-Pines变分方法研究纤锌矿In0.19 Ga0.81 N/GaN量子阱结构中束缚极化子能量和结合能等问题，给出基态结合能、不同支长波光学声子对能量和结合能的贡献随阱宽和杂质中心位置变化的数值结果.在数值计算中包括了该体系中声子频率的各向异性和内建电场对能量和结合能的影响、以及电子和杂质中心与长波光学声子的相互作用.研究结果表明， In0.19Ga0.81N/GaN量子阱材料中光学声子和内建电场对束缚极化子能量和结合能的贡献很大，它们都引起能量和结合能降低.结合能随着阱宽的增大而单调减小，窄阱中减小的速度快，而宽阱中减小的速度慢.不同支声子对能量和结合能的贡献随着阱宽的变化规律不同.没有内建电场时，窄阱中，定域声子贡献小于界面和半空间声子贡献，而宽阱中，定域声子贡献大于界面和半空间声子贡献.有内建电场时，定域声子贡献变小，而界面和半空间声子贡献变大，声子总贡献也有明显变化.在In0.19 Ga0.81 N/GaN量子阱中，光学声子对束缚极化子能量和结合能的贡献比GaAs/Al0.19 Ga0.81 As量子阱中的相应贡献(约3.2-1.8和1.6-0.3 meV)约大一个数量级.阱宽(d=8 nm)不变时，在In0.19 Ga0.81 N/GaN量子阱中结合能随着杂质中心位置Z0的变大而减小，并减小的速度变快.随着Z0的增大，界面和半空间光学声子对结合能的贡献缓慢减小，而定域光学声子的贡献缓慢增大.