数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进

Shi Yan-Hui,Yang Nan-Nan,Ma Ying-Jie,Gu Yi,Chen Xing-You,Gong Qian,Zhang Yong-Gang

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2019）

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摘要

研究了In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48As数字递交异变缓冲层结构(DGMB)的总周期数对2.6 μm延伸波长In0.83Ga0.17As光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP衬底上生长的In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48AsDGMB结构的总周期数从19增加到38,其上所生长的In0.83Ga0.17As/In0.83Al0.17As光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38的DGMB上外延的In0.83Ga0.17As光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99.8％,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度.

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关键词

digital-grading,metamorphic,buffer,InGaAs,photodetectors

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