AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究

Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics(2005)

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摘要
实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布.计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素.研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析.
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关键词
algan/gan,one-dimensional,self-consistent,two-dimensional
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