基于等效电路参数提取的硅光电二极管激光损伤机理分析
Infrared and Laser Engineering（2018）
Abstract
通过硅光电二极管激光辐照效应实验获取了辐照前后器件的I-V特性曲线,利用粒子群优化算法对二极管的等效电路参数进行提取,考察受损前后等效参数的变化规律.认为光电二极管在激光辐照受损后,其反向饱和电流会减小,等效串联电阻会增大,等效并联电阻会减小.随后,基于半导体物理理论,对这些参数变化的内在因素进行了定性分析.认为反向饱和电流减小是由掺杂离子浓度减小造成的,串联电阻增大是因掺杂离子浓度以及载流子寿命减小共同引起的,并联电阻减小则是由半导体表面及内部的缺陷引起的.
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Key words
analysis photodiode,damage mechanism,laser-induced
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