氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质影响的研究

锑化镓（GaSb）是实现高性能中红外波段激光器的重要材料。然而GaSb材料表面的化学性质活泼，具有较高的表面态密度，导致费米能级钉扎，严重影响GaSb基光电子器件的性能。而表面钝化可以有效减少表面态密度，增加材料表面发光性能，因此开展GaSb材料的表面钝化研究工作具有极其重要的意义。在本文中，利用等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统，使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行钝化处理，增强其发光强度。然后利用光致发光谱（PL）研究其发光性能，在室温下（300K），钝化样品的发光强度增强了4倍左右。在低温下（10K），观察到了由于Te施主掺杂所导致的施主-受主对（DAP）的跃迁发光，峰位位置在0.772 eV（1606nm）；还观察到了带边发光（BE）峰位随温度从0.796eV到0.723eV的变化过程。