Untwinned semipolar (10-13) Al x Ga 1−x N layers grown on m -plane sapphire
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY（2019）
摘要
Heteroepitaxial growth of untwinned mono-crystalline semipolar (101?3) Al(x)Ga1?xN更多
查看译文
关键词
nitrides,AlGaN,semiconducting aluminium compounds,metalorganic vapour phase epitaxy
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要