450nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化

杜维川 Weichuan Du,康俊杰 Junjie Kang,李弋 Yi Li,谭昊 Hao Tan,周坤 Kun Zhou,胡耀 Yao Hu,张亮 Liang Zhang,王昭 Zhao Wang, 郭林辉 Linhui Guo,高松信 Songxin Gao,武德勇 Deyong Wu,唐淳 Chun Tang

ACTA OPTICA SINICA（2019）

引用 2|浏览6

暂无评分

摘要

分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证.结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率.当前腔面反射率为5％时,斜率效率大于1.3 W· A-1,并在3A的连续工作电流下,获得了2.6W的高功率输出.

查看译文

关键词

lasers, semiconductor lasers, GaN, facet reflectivity, longitude spatial hole burning

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要