<111>晶向标定方法及其在湿法刻蚀硅光栅中的应用

在利用单晶硅的各向异性腐蚀制作光栅的过程中,掩模与硅晶向的精密对准是获取大尺寸光栅结构的前提条件,高对准精度将显著降低光栅槽型侧壁粗糙度.设计并制作了一种扇形图案,通过以该图案为掩模的预刻蚀,可快速准确发现硅基底内晶格取向.通过此方法进行晶向标定,并利用紫外光刻与湿法刻蚀,成功研制了尺寸为15 mm×15 mm、高度为48.3 μm、周期为5 μm、高宽比为20的矩形光栅结构,线条侧壁粗糙度RMS值为0.404 nm;利用全息光刻与湿法刻蚀成功研制了大高宽比深槽矩形光栅及三角形槽光栅.矩形槽光栅尺寸为50 mm×60 mm,高度为4.8 μm,周期为333 nm,高宽比为100,侧壁粗糙度RM S值为0.267 nm.三角形槽光栅周期为2.5 μm,侧壁粗糙度RM S值为0.406 nm.