75nmゲートInAlAs/InGaAsH EMTにおける採用非対称ゲートリセス及び二重側ドープ構造によるf_max910GHzまでの増強【Powered by NICT】Takahashi Tsuyoshi,Kawano Yoichi,Makiyama Kozo,Shiba Shoichi,Sato Masaru,Nakasha Yasuhiro,Hara NaokiIEEE Transactions on Electron Devices(2017)引用 23|浏览6暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要