2μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计

Ning AN,Xing-wei HAN,Cheng-zhi LIU,Cun-bo FAN,Xue DONG,Qing-li SONG

Acta Photonica Sinica（2016）

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摘要

为了提高2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器的最大输出功率,减小远场垂直发散角并实现单模稳定输出,在非对称波导结构的基础上设计了具有双波导结构的2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器.同时,利用相关的物理模型及SimLastip程序语言构建了InGaAsSb/AlGaAsSb Macro文件,利用SimLastip软件对具有不同结构的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器进行了数值模拟分析.研究结果表明,双波导结构可以将半导体激光器的有源区限制因子由0.019 2减小至0.011 3,器件的最大输出功率提高了1.7倍,远场垂直发散角由57°减小到48°,器件性能得到了改善.

关键词

Semiconductor laser,InGaAsSb/AlGaAsSb quantum well,Dual waveguide,Low vertical divergence,Simulation

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