电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验，通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系，并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明：暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数，电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势；暗场像素灰度值整体抬升，像元之间的差异显著增加；电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性，器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为，剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。