2.6～2.8GHz 1OOW硅微波脉冲功率晶体管

Semiconductor Technology（2004）

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摘要

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管.本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果.

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关键词

transistor,silicon

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