工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究

Renfang LEI,Hong XU, Wuxian ZENG,Renhao LI

Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics（2010）

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摘要

采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPP CCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响,然后对CCD的工艺过程进行了优化,并将优化后的工艺过程应用到了1 024×1 024可见光MPP CCD的工艺制作中.采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工艺前的下降了50%,典型值为20～30 pA/cm~2.

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关键词

Dark current density,Minority carrier lifetime,MPP CCD,Process

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