SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型

Xiao ZOU,Jingping XU,Yanping LI,Weibing CHEN,Shaobin SU

Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics（2006）

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摘要

通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好.模拟分析表明,当SiGe沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、Ge组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大.而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响.

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关键词

pMOSFET,Short-channel effect,SiGe channel,Threshold voltage

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