退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响

Xiong-jun LI,Jin-cheng KONG,Guang-hua WANG,Lian-jie YU,Ling-de KONG,Li-li YANG,feng QIU, Cong LI,Rong-bin JI

Infrared Technology（2010）

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摘要

对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞(a-MCT)薄膜在真空状态下进行退火,并通过X射线衍射(XRD)技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态.采用双体相关函数g(r)和电学测试系统研究了退火对a-MCT薄膜微结构和光敏性的影响.结果表明:经110℃,115℃和120℃退火后的a-MCT薄膜短程有序畴Rs由退火前的13.9 分别增大至17.9 、20.8 和26.2 ;光敏性则由原来的1.17,分别增加至退火后的2.01、2.67和4.25.

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关键词

photosensitivity,pair correlation function,annealing,Amorphous MCT(a-MCT)

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