特征工艺尺寸对CMOS SRAM 抗单粒子翻转性能的影响

Ke-ying ZHANG,Hong-xia GUO,Yin-hong LUO,Bao-ping HE,Zhi-bin YAO,Feng-qi ZHANG,Yuan-ming WANG

Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology（2010）

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摘要

采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因.研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低.

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关键词

Channel length,CMOS SRAM,Critical charge,LET threshold,Single event upset

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