利用电子束蒸发制备高K介质TiO2薄膜
Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)（2011）
摘要
利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发束流下制备了TiO2薄膜,利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率;利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO2薄膜的电容特性的影响,发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO2薄膜的CV曲线特性;最后利用XPS(X射线能谱)和FI-IR(傅立叶红外吸收)相结合的方法对TiO2薄膜的成分进行了分析,发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层,其成分是低价态的TiOx(x＜2)和SiOy(y＜2).
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关键词
electron beam evaporation,high frequency C-V,TiO_2 film
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