低温状态下的材料法向发射率测量

研究了在-60～50 ℃条件下准确测量材料法向发射率的方法.基于发射率定义建立了材料法向发射率测量模型.为屏蔽环境杂散辐射与大气吸收的影响,利用真空液氮背景通道搭建了低温状态下材料发射率测量装置.测量了氧化铜与高发射率陶瓷两种样品的法向发射率随温度、波长的变化情况.结果表明:两种样品的法向光谱发射率均随波长增加而降低;随温度的升高,氧化铜样品法向积分发射率稳定为0.850±0.012,陶瓷样品的法向积分发射率降低了0.124.最后,实现了低温状态下红外光谱辐射的高精度采集,对低温状态下材料法向光谱发射率测量结果的不确定度进行了评定,得到的结果显示其相对扩展不确定度小于6.0％.