Pulse-Width and Temperature Effect on the Switching Behavior of an Etch-Stop-on-MgO-Barrier Spin-Orbit Torque MRAM Cell
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2018）
关键词
Nonvolatile memory,spintronics,spin-orbit torque,spin-Hall effect,MRAM,STT-MRAM,SOT-MRAM
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