碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应
Acta Physico-chimica Sinica（2016）
Abstract
利用不同功函数的金属作为接触电极,研究了网络状碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)的接触电阻效应.研究表明金属Pd与碳纳米管薄膜形成良好的欧姆接触,Au则形成近欧姆接触,这两种接触的器件的开态电流和迁移率较高.Ti和AI都与碳纳米管薄膜形成肖特基接触,且AI接触比T1接触的势垒更高,接触电阻也更大,相应器件的开态电流和迁移率都较低.该结果表明对于CNT-TFT仍然可以通过接触来调控器件的性能,这对CNT-TFT的实用化进程具有重要的促进作用.
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Key words
Carbon nanotube,Thin film transistor,Contact resistance,Ohmic contact,Schottky barrier
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