检索
AI 对话
AI 辅写
analysis
趋势分析
编组
数据平台
more
更多
排名必读论文期刊顶会热点AI 简史溯源树小脉星探人才迁徙塔尖人才国防情报追踪开源工具智慧手语
VIPCreated with Sketch.

Characteristic of admittance in MOS structure with anodic oxide film

Tomoo Nakata, Ki Tyou,Yan Wu,Yoshihiro Takahashi

The Japan Society of Applied Physics（2017）

引用 23|浏览1
暂无评分
关键词
mos structure,oxide,admittance
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要