新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究

曲宝壮,朱勤生,陈振,陆大成,韩培德,刘祥林,王晓晖,孙学浩,李昱峰, 陆沅,黎大兵,王占国

Journal of Functional Materials and Devices（2003）

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摘要

利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿.

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关键词

ingan quantum dots,quantum dots

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