纳米压痕技术控制电迁移现象中铝原子积聚位置研究
Semiconductor Optoelectronics（2014）
Abstract
在利用电迁移现象制备铝纳米线的过程中,铝纳米线的生长位置取决于铝原子的积聚位置.为实现铝原子积聚位置控制,基于纳米压痕技术改变试样中铝膜的横截面结构,制备了铝膜试样.通过输入并调节直流电大小使铝膜内产生电迁移现象.试验结果表明,纳米压痕技术可有效提高局部区域的电流密度,显著增强铝原子的电迁移强度,并在压痕区域出现铝原子积聚现象.
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Electromigration
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