CCD小尺寸接触孔金属化的工艺优化
Semiconductor Optoelectronics（2015）
摘要
对铝金属化工艺中存在的台阶覆盖率低和铝穿刺问题进行了讨论和分析,在此基础上对CCD铝金属化工艺进行了优化.采用冷铝+热铝两步淀积的方法,提高了铝膜对小尺寸接触孔的台阶覆盖率;采用TiN作为阻挡层抑制了铝穿刺.
更多查看译文
关键词
small contact holes,metallization process,ccd
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要