提拉法生长大尺寸钨酸铅晶体

用中频感应加热提拉法成功地生长了无宏观缺陷的大尺寸钨酸铅晶体 (PWO),其晶体尺寸为 35 mm× 250 mm;确定了晶体生长工艺,其参数为籽晶取向 [001]、提拉速度 1.0～ 1.2 mm/h、生长界面温度梯度 25～ 30 ℃ /cm;对晶体的杂质和缺陷进行了分析,探讨了避免晶体开裂和抑制组分过冷的工艺条件 .同时,测量了它的纵向透过率,晶体在 360 nm处的透过率 >25% ,在 420 nm处的透过率 >55% .结果表明:感应加热提拉法生长的大尺寸钨酸铅晶体具有较好的光学均匀性 .