耻垢分枝杆菌中DNA损伤与SOS反应的实验研究

目的 探讨基因毒性物质介导的DNA损伤引起分枝杆菌SOS反应的作用. 方法 选择耻垢分枝杆菌为分枝杆菌模式细菌,通过紫外线损伤试验检测耻垢分枝杆菌对紫外线的敏感性,通过2倍稀释法测定利福平和氧氟沙星的最小抑菌浓度(MIC).分别用紫外线和次抑菌浓度(1/2MIC)抗生素处理耻垢分枝杆菌,在不同时间点收集菌液,以看家基因sigA为内参,采用实时定量PCR相对定量方法检测dnaE2、recA和recX等SOS基因表达水平的变化. 结果 紫外线暴露45 s后耻垢分枝杆菌的存活率为50％,利福平和氧氟沙星的MIC分别是32 μg/ml和1μg/ml.耻垢分枝杆菌dnaE2和recX等SOS基因表达水平在紫外线下暴露45 s后即开始上升,recA的表达水平在紫外线暴露3h后显著上升.耻垢分枝杆菌dnaE2和recX基因表达水平在1/2MIC的利福平作用后1h或在1/2MIC的氧氟沙星作用0h后上升,recA的表达水平在1/2MIC的利福平或氧氟沙星作用3h时显著升高. 结论 紫外线、抗生素等基因毒性物质可以导致耻垢分枝杆菌DNA损伤及SOS基因表达水平上升.