平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用

采用晶格匹配的平面型InP/Ino.53 Gao.47 As/InP外延材料,设计了一种大光敏元、带有保护环的InGaAs线列探测器.通过Ⅰ-V测试、扫描电容显微技术(SCM)测试,研究并确定了线列器件的盲元与保护环结构之间的关系.通过设计改进,解决了器件的盲元问题.24×1InGaAs线列短波红外探测在室温20℃、-10 mV偏压下,暗电流密度约5 nA/cm2.将光敏芯片密封在集成了热电制冷器(TEC)的金属管壳内,组件工作温度5℃,探测器响应光谱在1.0 μm～l.67μm范围,平均峰值电流响应率为1.3 A/W,平均峰值探测率为3.4×1012 cm·Hz1/2/W,响应的非均匀性为1.5％.探测器经历一定条件的可靠性筛选试验后,性能未发生明显变化,并进行了航空机载成像应用,成像图片清晰.