钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

陈振, 韩培德, 陆大成, 刘祥林, 王晓晖, 李昱峰, 袁海荣, 陆沅, 黎大兵, 王秀凤, 朱勤生, 王占国

CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE（2003）

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摘要

采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法.第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6.3×1010/cm2.随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大.在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性--超长红移现象.它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应.

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关键词

quantum dots,luminescence properties,multi-sheet,passivation-low-temperature

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