芳樟工厂化育苗技术研究

通过对芳樟工业原料林良种茎尖的离体培养和繁殖,探讨芳樟茎尖诱导、分化、不定芽生长分化、生根的适宜的培养基和适宜的培养条件.结果表明:适宜芳樟茎尖诱导培养基为MS+6-BAa～2amg.L-1+NAAbmg.L-1,诱导率达70%以上,适宜分化丛生芽的理想培养基为改良MS+6-BAa′～2a′mg.L-1+NAAo～2bmg.L-1+GAo～cmg.L-1芽年增殖系数达4.512以上,有效芽苗率达80%以上,适合生根培养基为1/2改良MS+NAAb′mg.L-1+IBA0～b′mg.L-1或1/2改良MS+IBAb′mg.L-1+NAAo～b′mg.L-1,或R+IBA c2mg.L-1+NAAc1mg.L-1生根率达98%以上.移栽土壤基质以黄心土加沙(10:1)理想,移栽成活率可达85%以上.