载流子输运性能对CdZnTe晶体脉冲X射线响应特性的影响?

采用生长态高电阻 CdZnTe 晶体制备出平面电极探测器,室温下测试了其在脉冲 X射线作用下的诱导电流曲线.分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程,发现脉冲上升时间约为2 ns,且不受外加偏压影响,而脉冲衰减过程可分为3阶段.利用α粒子结合飞行时间技术研究了 CdZnTe 晶体的载流子传输特性,分析了结构缺陷的散射和俘获-佉俘获对载流子传输特性的影响.同时对比了不同厚度的 CdZnTe探测器在不同电压下对脉冲 X 射线的响应特性.结果表明,当外加电场强度增加时,诱导脉冲电流曲线的半峰宽呈指数衰减,但当探测器厚度大于0．2 mm 时,随着探测器厚度的增加变化不明显.可能是由于材料中结构缺陷的浓度增加,对载流子的俘获和散射作用加剧,严重影响了载流子的传输过程和复合时间.