石墨烯折角场发射特性

Xiao-li WANG,Kai-ge PANG,Wei-hua LIU,Xin LI,Kang TIAN,Yan-nan YIN,Juan ZHANG

Acta Photonica Sinica（2014）

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摘要

针对直立的石墨烯边沿悬挂键易吸附气体分子,影响发射稳定性的问题,本文将石墨烯转移到墙状绝缘结构上,获得石墨烯折角.结合电感耦合等离子体刻蚀和湿法腐蚀法在硅衬底上制得墙状绝缘结构,以石墨烯折角作为场发射尖端,测试研究了石墨烯折角的场发射特性和石墨烯中内导电流对场发射的影响.结果表明:石墨烯折角的场发射开启场强为9.6 V/μm;在2 000 V阳极电压下,当石墨烯两端偏压从0V增加到10 V时,场发射电流从4.5 μA增加到15 μA.

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关键词

Graphene,Inductively coupled plasma etching,Field emission,Conduction current,Bias voltage

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