MBE生长InGaAs／n0.32≤x≤0.52Al1—xAs MM—HEMT材料

在GaAs衬底上利用分子来外延技术生长了不同In组分的Metamorphic HEMT(简称MM—HEMT)。通过对MM—HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化，得到了具有良好电学性能的MM—HEMT材料，其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。