MBE生长InGaAs/n0.32≤x≤0.52Al1—xAs MM—HEMT材料
mag(2003)
Abstract
在GaAs衬底上利用分子来外延技术生长了不同In组分的Metamorphic HEMT(简称MM—HEMT)。通过对MM—HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化,得到了具有良好电学性能的MM—HEMT材料,其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。
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