Влияние топологического размещения ячеек в микросхемах памяти на кратность сбоев от ТЗЧ

А. Б. Боруздина,Н. Г. Григорьев,А. В. Уланова

Микроэлектроника（2014）

引用 23|浏览0

暂无评分

摘要

Проведен анализ факторов, влияющих на сбоеустойчивость микросхем памяти. Рассмотрены различные топологические конфигурации 6-транзисторных ячеек памяти. Определены две конфигурации ячеек, наиболее чувствительные к эффекту многократных сбоев.

查看译文

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要