Si -PIN 探测器特征参数的 MCNP 模拟

实验运用蒙特卡罗方法模拟X射线在Si-PIN探测器中的能量沉积。针对所选择的每个能量，改变Si-PIN探测器灵敏区厚度、半径，模拟出X射线计数率，从中选择出灵敏区最佳结构组合。并与DeBoer算法和Mcmaster算法的理论计算结果进行对比，结果表明MCNP5程序能准确地模拟X射线在Si-PIN探测器中的物理过程，且选取的灵敏区最佳组合具有较高的可靠性。