中密度C/C复合材料表面制备SiCnw/SiC涂层
Materials Science and Engineering of Powder Metallurgy(2015)
摘要
在中密度 C/C 复合材料基体上采用催化化学气相沉积方法生长碳化硅纳米线(SiCnw)及制备碳化硅纳米线/碳化硅(SiCnw/SiC)涂层,研究中密度C/C复合材料基体上加载催化剂后涂层沉积及其抗氧化性能,结果表明:中密度基体上催化制备SiCnw涂层,可改善沉积效率,同时可抑制裂纹扩展,明显改善SiC涂层在1 200℃的氧化防护能力.另外,在1 500℃的空气中氧化10 h后,SiCnw/SiC涂层氧化质量损失率仅为1.34%,明显低于质量损失率为8.67%的单层SiC涂层.
更多查看译文
关键词
sicnw/sic,sicnw/sic,coating,composites,mid-density
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要