パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術有一 平野,茂伸 前田,拓治 松本,浩二 新居,俊明 岩松,泰男 山口,隆志 一法師,光 川島,繁登 前川,昌秀 犬石,正 西村mag(1999)Cited 23|Views5No scoreAI Read ScienceMust-Reading TreeExampleGenerate MRT to find the research sequence of this paperChat PaperSummary is being generated by the instructions you defined