Temperatureinfluß auf Photodioden für radiometrische Messungen der LWL-Nachrichtentechnik

Der Beitrag zeigt Untersuchungsergebnisse des Einflusses der Temperatur auf die spektrale Empfindlichkeit von Si-, Ge-und InGaAs-Photodioden im Bereich 400 nm bis 1800 nm. Die Ergebnisse werden einerseits in Hinblick auf die Ursachen der Effekte und andererseits auf Folgerungen für den Einsatz der Photodioden bei genauen Messungen der Strahlungsleistung diskutiert.