28aBF-10 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの電子構造の面方位依存性(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))祐輔 田中, 拓也 正満,耕輔 中山,清吾 相馬,宇史 佐藤,隆 高橋, Mario Novak,耕司 瀬川,陽一 安藤mag（2014）引用 23|浏览4暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树，研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要
