21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)大樹 加藤,琢巳 田岡, 督 西方,元 佐崎,太郎 山田, R Czajka,A Wawro,一雄 中嶋,厚生 粕谷,彰三 須藤mag(2007)引用 23|浏览3暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要