400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管

Yingkun Liu,Zhanli Wang, Yuzhang He,Xiulan Lang, Dali Zhang, Lei Xia,Jian Wu, Xiaoli Zhou

SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY（2000）

引用 23|浏览1

暂无评分

摘要

采用Mo栅工艺技术降低栅串联电阻,通过优化工艺参数,全离子注入工艺,研制出了在400MHz下共源推挽结构连续波输出300W的高性能VDMOSFET,其漏极效率大于50%,增益大于9dB.

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要